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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| JEDEC-95代码： | TO-18 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N2484UA | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JAN2N2484UB | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JAN2N2553 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | STR-10 |
|
| JAN2N2555 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | STR-10 |
|
| JAN2N2557 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | IST-3RT-1/2 |
|
| JAN2N2559 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | IST-3RT-1/2 |
|
| JAN2N2604 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-46 |
|
| JAN2N2604A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
|
| JAN2N2604UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMI |
|
| JAN2N2605 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, |
|
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