Datasheet > JAN2N2608UB

JAN2N2608UB

更新时间： 2024-09-13 21:18:07

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	46K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, SURFACE MOUNT PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JAN2N2608UB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.78
配置：	SINGLE	FET 技术：	JUNCTION
JESD-30 代码：	R-CDSO-N3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500/295	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JAN2N2608UB 数据手册

TECHNICAL DATA

P-CHANNEL J-FET

Qualified per MIL-PRF-19500/ 295

Devices

Qualified Level

2N2608

2N2608UB

JAN

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= +25⁰C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

V_GSS

Value

300

Units

Gate-Source Voltage

(1)

TO-18

(TO-206AA)

Power Dissipation

T_A= +25⁰C

P_D

⁰C

Operating Junction & Storage Temperature Range

(1) Derate linearly 1.71 mW/⁰C for T_A> +25⁰C.

T_op,T_stg

-65 to +200

Surface Mount (UB

version)

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25⁰C unless otherwise noted)

PARAMETERS / TEST CONDITIONS

Gate-Source Breakdown Voltage

V_DS= 0, I_G= 1.0 mAdc

Symbol

V_(BR)GSS

I_GSS

Min.

Max.

Units

Vdc

Gate Reverse Current

V_DS= 0, V_GS= 30 Vdc

hAdc

V_DS= 0, V_GS= 15 Vdc

7.5

Drain Current

V_GS= 0, V_DS= 5.0 Vdc

I_DDSS

-1.0

-5.0

6.0

mAdc

Vdc

Gate-Source Cutoff Voltage

V_DS= 5.0 V, I_D= 1.0 mAdc

V_GS(off)

0.75

Magnitude of Small-Signal, Common-Source Short-Circuit Forward

Transfer Admittance

V_GS= 0, V_DS= 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz

Small-Signal, Common-Source Short-Circuit Input Capacitance

V_GS= 0, V_DS= 5.0 Vdc, f = 1.0 MHz

Common-Source Spot Noise Figure

V_GS= 0, V_DS= 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz

B_W= 16%, R_G= 1.0 megohms, e_gen= 1.82 mVdc, R_L= 470 W

½^Yfs2½

1,000

4,500

mmho

C_iss

3.0

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

022802

Page 1 of 1

中文翻译

下载PDF

与JAN2N2608UB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N2609	MICROSEMI	获取价格	P-CHANNEL J-FET
JAN2N2708	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-72,
JAN2N2812	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| STR-1/4
JAN2N2814	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| STR-1/4
JAN2N2857	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 40MA I(C) \| TO-72
JAN2N2857UB	MICROSEMI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
JAN2N2880	APITECH	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3
JAN2N2880	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N2904	MICROSEMI	获取价格	PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JAN2N2904A	MICROSEMI	获取价格	PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

与JAN2N2608UB相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

78
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

69
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

100
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

114

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JAN2N2608UB

JAN2N2608UB 技术参数

JAN2N2608UB 数据手册

与JAN2N2608UB相关器件

与JAN2N2608UB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JAN2N2608UB

JAN2N2608UB 技术参数

JAN2N2608UB 数据手册

与JAN2N2608UB相关器件

与JAN2N2608UB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？