是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-59 |
包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.22 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 最大集电极电流 (IC): | 5 A |
集电极-发射极最大电压: | 80 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 15 | JEDEC-95代码: | TO-59 |
JESD-30 代码: | O-MUPM-X3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Qualified | 参考标准: | MIL-S-19500 |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 30 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN2N2904 | MICROSEMI |
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PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N2904A | MICROSEMI |
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PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N2904AL | MICROSEMI |
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PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N2905 | MICROSEMI |
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PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N2905A | RAYTHEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, | |
JAN2N2905A | MICROSEMI |
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PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N2905AL | MICROSEMI |
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PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N2906A | MICROSEMI |
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PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N2906AL | MICROSEMI |
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PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N2906AUA | MICROSEMI |
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PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR |