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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.33 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/354 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N2605 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, |
|
| JAN2N2605UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMI |
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| JAN2N2608 | MICROSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL J-FET |
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| JAN2N2608UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, SURFACE |
|
| JAN2N2609 | MICROSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL J-FET |
|
| JAN2N2708 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-72, |
|
| JAN2N2812 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | STR-1/4 |
|
| JAN2N2814 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | STR-1/4 |
|
| JAN2N2857 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 40MA I(C) | TO-72 |
|
| JAN2N2857UB | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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