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JAN2N2432

更新时间： 2024-11-30 20:22:27

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	64K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA, SIMILAR TO TO-18, 3 PIN

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JAN2N2432 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JEDEC-95代码：	TO-206AA	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/313F	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	CHOPPER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

JAN2N2432 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 313

Devices

Qualified Level

JAN

JANTX

JANTXV

2N2432

2N2432A

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Collector Voltage

Collector Current

Symbol 2N2432 2N2432A

Unit

Vdc

V_CEO

V_CBO

V_ECO

I_C

Vdc

100

mAdc

(1)

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C

300

600

P_T

@ T_C= +25⁰C ⁽²⁾

-65 to +200

-65 to +175

⁰C

stg

Operating & Storage Junction Temp. Range

⁰C

T_J

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

TO- 18*

(TO-206AA)

Symbol

Max.

Unit

mW/ ⁰C

Thermal Resistance, Junction-to-Case

0.25

qJC

1) Derate linearly 2.0 mW/⁰C above T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 4.0 mW/⁰C above T_C> +25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Emitter-Collector Breakdown Voltage

I_E= 100 mAdc, I_B= 0

2N2432

2N2432A

Both

Vdc

V_(BR)

ECO

I_E= 10 mAdc, I_B= 0

Collector-Emitter Breakdown Current

I_C= 10 mAdc

Vdc

2N2432

2N2432A

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CB= 25 Vdc

V_CB= 40 Vdc

2N2432

2N2432A

I_CES

hAdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JAN2N2432 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N2432	MICROSEMI	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,
2N2432	MICROSEMI	功能相似	NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR

与JAN2N2432相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N2432A	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206A
JAN2N2481	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
JAN2N2484	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,
JAN2N2484UA	ETC	获取价格	BJT
JAN2N2484UB	ETC	获取价格	BJT
JAN2N2553	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| STR-10
JAN2N2555	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| STR-10
JAN2N2557	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| IST-3RT-1/2
JAN2N2559	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| IST-3RT-1/2
JAN2N2604	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-46

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