2N2369AUB

更新时间： 2024-11-26 22:25:39

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	67K
描述
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N2369AUB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.05
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-CDSO-N3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	18 ns	最大开启时间（吨）：	12 ns
Base Number Matches：	1

2N2369AUB 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 317

Devices

Qualified Level

2N2369A

2N4449

JAN

JANTX

JANTXV

2N2369AU

2N2369AUA

2N2369AUB

2N4449U

2N4449UA

2N4449UB

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_EBO

V_CBO

V_CES

All UB

All others

Unit

Vdc

Emitter-Base Voltage

6.0

4.5

Vdc

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

TO-18* (TO-206AA)

2N2369A

@ T_A= +25⁰C @ T_C= +25⁰C

Total Power Dissipation

2N2369A; 2N4449

All UA

0.50⁽¹⁾

0.50⁽⁵⁾

0.40⁽⁶⁾

0.60⁽³⁾

1.2⁽²⁾

1.4⁽⁷⁾

1.5⁽⁴⁾

P_T

All UB

All U

⁰C

TO-46 (TO-206AB)

2N4449

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_op_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

Thermal Resistance, Junction-to-Case

2N2369A; 2N4449

All UA

All UB

146

125

135

117

⁰C/mW

SURFACE MOUNT

UA*

qJC

All U

Thermal Resistance, Ambient-to-Case

2N2369A; 2N4449

325

350

437

291

⁰C/mW

SURFACE MOUNT

UB*

All UA

All UB

All U

qJA

1) Derate linearly 3.08 mW/⁰C above T_A= +37.5⁰C

2) Derate linearly 6.85 mW/⁰C above T_C= +25⁰C

3) Derate linearly 3.44 mW/⁰C above T_A= +63.5⁰C

4) Derate linearly 8.55 mW/⁰C above T_C= +63.5⁰C

5) Derate linearly 2.86 mW/⁰C above T_C= +63.5⁰C

6) Derate linearly 2.29 mW/⁰C above T_C= +63.5⁰C

7) Derate linearly 8.00 mW/⁰C above T_C= +63.5⁰C

SURFACE MOUNT

*See appendix A for

package outline

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

Page 1 of 2

中文翻译

下载PDF

2N2369AUB 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JAN2N2369AUB	MICROSEMI	完全替代	NPN SILICON TRANSISTOR
2N2369ACSM	SEME-LAB	功能相似	HIGH SPEED, MEDIUM POWER, NPN SWITCHING TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFAC

与2N2369AUB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N2369AUBC	MICROSEMI	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
2N2369B	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 15V 6-Pin Case U
2N2369C	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 15V 6-Pin Case U
2N2369DWP	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.016 X 0.016 INCH
2N2369Z	STMICROELECTRONICS	获取价格	15V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
2N236A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-3
2N236B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-3
2N237	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 20MA I(C)
2N2374	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 35V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-5
2N2375	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 35V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-5

与2N2369AUB相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

46
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

35
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

64
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N2369AUB

2N2369AUB 技术参数

2N2369AUB 数据手册

2N2369AUB 替代型号

与2N2369AUB相关器件

与2N2369AUB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N2369AUB

2N2369AUB 技术参数

2N2369AUB 数据手册

2N2369AUB 替代型号

与2N2369AUB相关器件

与2N2369AUB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？