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2N2374

更新时间: 2024-02-03 16:36:32
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其他 - ETC 晶体晶体管
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4页 358K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5

2N2374 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.91最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:35 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-5
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:100 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.25 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:GERMANIUM
Base Number Matches:1

2N2374 数据手册

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