5秒后页面跳转
JAN2N2369A PDF预览

JAN2N2369A

更新时间: 2024-09-12 22:29:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体双极型晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 69K
描述
NPN BIPOLAR TRANSISTOR

JAN2N2369A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:BCY
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:1.63外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-18JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.36 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/317K
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):500 MHz最大关闭时间(toff):18 ns
最大开启时间(吨):12 nsBase Number Matches:1

JAN2N2369A 数据手册

 浏览型号JAN2N2369A的Datasheet PDF文件第2页 
580 Pleasant St.  
Watertown, MA 02172  
PH: (617) 926-0404  
FAX: (617) 924-1235  
2N2369A  
Features  
40 Volts  
200mAmps  
· Meets MIL-S-19500/317  
· Collector-Base Voltage 40V  
· Collector Current: 200 mA  
· Fast Switching 30 nS  
NPN  
BIPOLAR  
TRANSISTOR  
Maximum Ratings  
RATING  
SYMBOL  
MAX.  
UNIT  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCEO  
VCES  
VCBO  
VEBO  
IC  
15  
40  
40  
4.5  
200  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mA  
Collector Current -- Continuous  
Total Device Dissipation  
@ TA = 25oC  
PD  
0.36  
2.06  
Watt  
mW/oC  
Derate above 25oC  
Total Device Dissipation  
PD  
@ TC = 25oC  
1.2  
6.85  
Watt  
mW/oC  
Derate above 25oC  
oC  
oC  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
TJ  
TS  
-65 + 200  
-65 + 200  
486  
oC/W  
oC/W  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction to Case  
146  
Mechanical Outline  
Datasheet# MSC0277A 5/19/97  

JAN2N2369A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANS2N2369A MICROSEMI

完全替代

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,

与JAN2N2369A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N2369AU ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | LLCC
JAN2N2369AUA ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | LLCC
JAN2N2369AUB MICROSEMI

获取价格

NPN SILICON TRANSISTOR
JAN2N2432 MICROSEMI

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206A
JAN2N2432A MICROSEMI

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206A
JAN2N2481 MICROSEMI

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor,
JAN2N2484 RAYTHEON

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,
JAN2N2484UA ETC

获取价格

BJT
JAN2N2484UB ETC

获取价格

BJT
JAN2N2553 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | STR-10