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IXYH24N90C3D1

更新时间： 2024-04-02 21:14:45

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	397K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXYH24N90C3D1 数据手册

IXYH24N90C3D1

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Characteristic Values

TO-247 (IXYH) Outline

Min.

Typ.

Max.

0P 0K M D B M

g_fs

I_C= 24A, V_CE= 10V, Note 1

C_ies

C_oes

C_res

1190

V_CE= 25V, V_GE= 0V, f = 1MHz

0P1

IXYS OPTION

Q_g(on)

Q_ge

I_C= 24A, V_GE= 15V, V_CE= 0.5 • V_CES

Q_gc

t_d(on)

t_ri

E_on

t_d(off)

t_fi

1 - Gate

2,4 - Collector

3 - Emitter

Inductive load, T_J= 25°C

I_C= 24A, V_GE= 15V

M C A M

1.35

V_CE= 0.5 • V_CES, R_G= 10

Note 2

E_of

0.40

0.70 mJ

t_d(on)

t_ri

Inductive load, T_J= 125°C

I_C= 24A, V_GE= 15V

E_on

t_d(off)

t_fi

2.60

V_CE= 0.5 • V_CES, R_G= 10

130

0.55

Note 2

E_off

R_thJC

R_thCS

0.62 °C/W

°C/W

0.21

Reverse Diode (FRED)

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Characteristic Value

Symbol

Test Conditions

Min. Typ.

Max.

V_F

3.25

I_F= 15A,V_GE= 0V, Note 1

T_J= 150°C

2.0

I_RM

t_rr

I_F= 15A,V_GE= 0V, -di_F/dt = 250A/μs, T_J= 100°C

V_R= 600V

T_J= 100°C

340

R_thJC

1.6 °C/W

Notes:

1. Pulse test, t  300μs, duty cycle, d  2%.

2. Switching times & energy losses may increase for higher V_CE(clamp), T_Jor R_G.

PRELIMANARY TECHNICAL INFORMATION

The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are derived

from a subjective evaluation of the design, based upon prior knowledge and experience, and constitute a

"considered reflection" of the anticipated result. IXYS reserves the right to change limits, test

conditions, and dimensions without notice.

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered

by one or more of the following U.S. patents: 4,860,072 5,017,508

4,881,106 5,034,796

4,835,592 4,931,844

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1 6,683,344

6,534,343

6,583,505

6,727,585

6,710,405 B2 6,759,692

6,710,463

7,005,734 B2 7,157,338B2

7,063,975 B2

6,771,478 B2 7,071,537

123 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXYH30N120C4	LITTELFUSE	获取价格	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
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