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IXYH50N120C3

更新时间： 2024-11-06 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 230K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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IXYH50N120C3 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.66
Base Number Matches：1

IXYH50N120C3 数据手册

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1200V XPTTM IGBT  
GenX3TM  
VCES = 1200V  
IC110 = 50A  
VCE(sat) ≤ 3.5V  
tfi(typ) = 43ns  
IXYH50N120C3  
High-Speed IGBT  
for 20-50 kHz Switching  
TO-247 AD  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
1200  
1200  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ  
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
C
Tab  
=
E
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C (Chip Capability)  
TC = 110°C  
100  
50  
A
A
G = Gate  
E = Emitter  
C
Collector  
Tab = Collector  
TC = 25°C, 1ms  
240  
A
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 5Ω  
ICM = 100  
A
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@VCE ≤ VCES  
Features  
PC  
TC = 25°C  
750  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
z
Optimized for Low Switching Losses  
Square RBSOA  
Positive Thermal Coefficient of  
Vce(sat)  
High Current Handling Capability  
International Standard Package  
z
z
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z
z
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in.  
g
Weight  
Advantages  
z
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
z
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
High Frequency Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1200  
3.0  
Typ.  
Max.  
z
z
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
z
5.0  
z
z
25 μA  
250 μA  
z
TJ = 150°C  
TJ = 150°C  
z
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC = 50A, VGE = 15V, Note 1  
3.1  
4.2  
3.5  
V
V
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100343C(02/13)  
1234567

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与IXYH50N120C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYH50N120C3D1 IXYS

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 		High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching
IXYH50N120C3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH50N65C3 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYH50N65C3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYH50N65C3H1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYH50N65C3H1 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYH55N120A4 LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYH55N120B4H1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYH55N120C4 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYH55N120C4H1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热

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