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IXYH40N120B3

更新时间： 2024-11-19 14:56:43
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 235K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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IXYH40N120B3 数据手册

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1200V XPTTM IGBT  
GenX3TM  
VCES = 1200V  
IC110 = 40A  
VCE(sat) ≤ 2.9V  
tfi(typ) = 183ns  
IXYH40N120B3  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 5-30 kHz Switching  
TO-247 AD  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
C
Tab  
=
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
1200  
1200  
V
V
E
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ  
G = Gate  
E = Emitter  
C
Collector  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
Tab = Collector  
IC25  
IC110  
TC = 25°C (Chip Capability)  
TC = 110°C  
96  
40  
A
A
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
200  
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
20  
A
Features  
400  
mJ  
z
Optimized for 5-30kHZ Switching  
Square RBSOA  
Positive Thermal Coefficient of  
Vce(sat)  
Avalanche Rated  
International Standard Package  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 10Ω  
Clamped Inductive Load  
ICM = 80  
A
z
z
(RBSOA)  
@VCE ≤ VCES  
PC  
TC = 25°C  
577  
W
z
z
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
z
High Power Density  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in.  
g
z
Low Gate Drive Requirement  
Weight  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1200  
3.0  
Typ.  
Max.  
z
z
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
z
5.0  
z
z
25 μA  
500 μA  
z
TJ = 150°C  
TJ = 150°C  
z
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC = 40A, VGE = 15V, Note 1  
2.4  
3.1  
2.9  
V
V
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100412B(03/13)  
1234567

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与IXYH40N120B3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYH40N120B3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH40N120B4 LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代（GenX4?）Trench IGBT工艺流程，这些高达
IXYH40N120C3D1 LITTELFUSE

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IXYH40N65C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH40N65C3D1 IXYS

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 		Advance Technical Information
IXYH40N65C3D1 LITTELFUSE

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IXYH40N65C3H1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

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