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IXYH40N90C3

更新时间： 2023-12-06 20:13:17

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	192K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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Preliminary Technical Information

900V XPT^TMIGBT

GenX3^TM

V_CES= 900V

I_C110= 40A

V_CE(sat)≤ 2.5V

t_fi(typ)= 110ns

IXYH40N90C3

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

TO-247 AD

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

900

900

V

V

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1MΩ

G

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

V

V

C

Tab

=

E

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

105

40

A

A

G = Gate

E = Emitter

C

Collector

Tab = Collector

T_C= 25°C, 1ms

200

A

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 5Ω

I_CM= 80

A

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE≤ V_CES

P_C

T_C= 25°C

600

W

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

°C

°C

z

Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

-55 ... +175

z

z

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

°C

z

International Standard Package

M_d

Mounting Torque

1.13/10

6

Nm/lb.in.

g

Weight

Advantages

z

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

z

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

z

High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

950

3.5

Typ.

Max.

z

z

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

V

V

z

z

5.5

z

25 μA

500 μA

z

T_J= 150°C

T_J= 150°C

z

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 40A, V_GE= 15V, Note 1

2.2

2.9

2.5

V

V

© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

DS100444A(02/13)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXYH40N90C3D1	LITTELFUSE	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT	获取价格
IXYH50N120C3	IXYS	1200V XPT IGBT GenX3	获取价格
IXYH50N120C3	LITTELFUSE	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT	获取价格
IXYH50N120C3D1	IXYS	High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching	获取价格
IXYH50N120C3D1	LITTELFUSE	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT	获取价格
IXYH50N65C3	LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格

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