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IXTT1N450HV

更新时间： 2024-02-05 09:06:28

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IXYS		高压
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5页	156K
描述
High Voltage Power MOSFET

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IXTT1N450HV 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	520 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

IXTT1N450HV 数据手册

IXTT1N450HV

Fig. 7. Input Admittance

Fig. 8. Transconductance

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

T_J= - 40ºC

25ºC

125ºC

T_J= 125ºC

25ºC

- 40ºC

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

1.1

V_GS- Volts

I_D- Amperes

Fig. 10. Gate Charge

Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

V_DS= 1000V

I _D= 500mA

I _G= 1mA

T_J= 125ºC

T_J= 25ºC

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

V_SD- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance

Fig. 11. Capacitance

10,000

1,000

100

= 1 MHz

iss

0.1

oss

rss

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

V_DS- Volts

Pulse Width - Seconds

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

1 2 345

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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IXTT20N50D	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
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