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IXTP3N100D2

更新时间： 2024-11-05 21:07:07

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	156K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTP3N100D2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IXTP3N100D2 数据手册

V_DSX= 1000V

I_D(on)> 3A

Depletion Mode

MOSFET

IXTA3N100D2

IXTP3N100D2

R_DS(on) 6

N-Channel

TO-263 AA (IXTA)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

1000

D (Tab)

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

TO-220AB (IXTP)

P_D

T_C= 25C

125

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

D (Tab)

= Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

G = Gate

S = Source

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Tab = Drain

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Features

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

- 2.5

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 250A

V_DS= 25V, I_D= 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

- 4.5

Applications

100 nA

A

50 A

I_DSX(off)

• Audio Amplifiers

• Start-Up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

T_J= 125C

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 1.5A, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 50V, Note 1



DS100184E(4/17)

12 3 4 5 6

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