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IXTP3N100P

更新时间： 2024-01-22 18:18:50

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力特 - LITTELFUSE		/
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7页	356K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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IXTP3N100P 数据手册

Polar^TM

Power MOSFET

V_DSS= 1000V

I_D25= 3A

R_DS(on) 4.8

IXTA3N100P

IXTP3N100P

IXTH3N100P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

D (Tab)

TO-220 (IXTP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

1000

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

TO-247 (IXTH)

I_A

T_C= 25C

E_AS

200

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

125

T_J

-55 ... +150

150

C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Low Package Inductance

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1000

2.5

4.5

Applications

50 nA

A



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

I_DSS



T_J= 125C

250 μA



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

4.8





Robotics and Servo Controls

DS99767B(6/18)

12 3 4 5 6 7

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