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IXGH28N90B

更新时间： 2024-11-24 22:11:51

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	93K
描述
HIPERFAST IGBT

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IXGH28N90B 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	51 A	集电极-发射极最大电压：	900 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	220 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	470 ns
标称接通时间 (ton)：	65 ns	Base Number Matches：	1

IXGH28N90B 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

V_CES

I_C25

= 900 V

51 A

IXGH 28N90B

IXGT 28N90B

V_CE(SAT)= 2.7 V

Preliminary data sheet

t_fi(typ)

= 130 ns

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD

(IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

900

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

C (TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

TO-268 (D3)

(IXGT)

T_C= 25°C, 1 ms

120

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

Clamped inductive load, L = 100 mH

I_CM= 56

@ 0.8 V_CES

(TAB)

P_C

T_C= 25°C

200

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E=Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

International standard packages

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

JEDEC TO-268 surface

M_d

Mounting torque (M3)

1.13/10Nm/lb.in.

mountable and JEDEC TO-247 AD

High current handling capability

Latest generation HDMOS^TMprocess

MOS Gate turn-on

Weight

TO-247 AD

TO-247 SMD

- drive simplicity

Applications

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

900

2.5

Advantages

Space savings (two devices in one

package)

High power density

Suitable for surface mounting

Switching speed for high frequency

applications

Easy to mount with 1 screw,TO-247

(isolated mounting screw hole)

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 150°C

500

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15 V

2.2

2.7

98634B (10/00)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH2N250	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247,
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IXGH30N120B3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBTs
IXGH30N120B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH30N120B3D1	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBT
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IXGH30N30	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGH30N30S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 250V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-247SMD

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