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IXGA30N60C3C1

更新时间： 2024-09-15 05:39:59

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IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	281K
描述
GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode

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IXGA30N60C3C1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	220 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	160 ns
标称接通时间 (ton)：	37 ns	Base Number Matches：	1

IXGA30N60C3C1 数据手册

Preliminary Technical Information

GenX3^TM600V IGBT

w/ SiC Anti-Parallel

Diode

V_CES= 600V

I_C110= 30A

V_CE(sat)≤ 3.0V

t_fi(typ)= 47ns

IXGA30N60C3C1

IXGP30N60C3C1

IXGH30N60C3C1

High Speed PT IGBTs for

40 - 100kHz Switching

TO-263(IXGA)

C (TAB)

Symbol Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220(IXGP)

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

C (TAB)

I_C25

I_C110

I_F110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

TO-247(IXGH)

150

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5Ω

I_CM= 60

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@ ≤ V_CES

P_C

T_C= 25°C

220

C (TAB)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate

E = Emitter

= Collector

TAB = Collector

-55 ... +150

T_L

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

Features

T_SOLD

^ꢀOptimized for Low Switching Losses

^ꢀSquareRBSOA

^ꢀAnti-Parallel Schottky Diode

^ꢀInternational Standard Packages

M_d

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Advantages

^ꢀHigh Power Density

^ꢀLow Gate Drive Requirement

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Characteristic Values

Min.

Typ.

Max.

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

3.5

5.5

Applications

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

25 μA

300 μA

^ꢀHigh Frequency Power Inverters

^ꢀUPS

T_J= 125°C

^ꢀMotorDrives

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

^ꢀSMPS

V_CE(sat)

I_C= 20A, V_GE= 15V, Note 1

2.6

1.8

3.0

^ꢀPFCCircuits

^ꢀBatteryChargers

^ꢀWeldingMachines

^ꢀLampBallasts

DS100142A(06/09)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGA30N60C3D4	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT With Diode
IXGA30N60C3D4	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGA36N60A3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGA36N60A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGA42N30C3	IXYS	获取价格	GenX3 300V IGBT
IXGA48N60A3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGA48N60A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGA48N60B3	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
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IXGA48N60B3-TRL	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,

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