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IXGB200N60B3

更新时间： 2024-11-21 11:14:07

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	197K
描述
GenX3 600V IGBT

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IXGB200N60B3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLUS264, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	300 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1250 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	730 ns
标称接通时间 (ton)：	122 ns	Base Number Matches：	1

IXGB200N60B3 数据手册

GenX3^TM600V IGBT

V_CES= 600V

I_C110= 200A

V_CE(sat)≤ 1.5V

t_fi(typ)= 183ns

IXGB200N60B3

Medium speed low Vsat PT

IGBTs 5-40 kHz switching

PLUS264^TM(IXGB)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1 MΩ

600

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 110°C (chip capability)

T_C= 25°C, 1ms

200

600

(TAB)

G = Gate

E = Emitter

= Collector

SSOA

(RBSOA)

P_C

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1Ω

Clamped inductive load @ V_CE≤ 600V

T_C= 25°C

I_CM= 300

TAB = Collector

1250

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

^zNPT IGBT technology

^zLow switching losses

^zLow tail current

-55 ... +150

T_L

Maximum lead temperature for soldering

Plastic body for 10s

300

260

°C

^zNo latch up

T_SOLD

^zShort circuit capability

^zPositive temperature coefficient

for easy paralleling

F_C

Mounting force

30..120/6.7..27

N/lb.

Weight

^zMOS input, voltage controlled

^zOptional ultra fast diode

^zInternational standard package

Advantages

^zSpace savings

^zHigh power density power supplies

^zLow gate charge results in simple

drive requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

600

3.0

Applications

5.0

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

25 μA

5.0 mA

^zHigh Frequency Inverters

^zUPS and Welding

T_J= 125°C

^zAC and DC Motor Controls

^zPower Supplies and Drivers for

Solenoids, Relays and Connectors

^zPFC Circuits

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

I_C= 200A

1.35

1.50

1.65

1.75

T_J= 125°C

^zBattery Chargers

DS99929A(05/08)

12 3 4 5 6

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与IXGB200N60B3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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