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IXGE200N60B

更新时间： 2024-02-07 13:21:22

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	67K
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HiPerFAST IGBT

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IXGE200N60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	ISOPLUS
包装说明：	ISOPLUS227, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	160 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	500 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	540 ns
标称接通时间 (ton)：	120 ns	VCEsat-Max：	2.1 V
Base Number Matches：	1

IXGE200N60B 数据手册

Advance Technical Information

IXGE 200N60B

= 600 V

= 175 A

= 2.1 V

HiPerFAST^TMIGBT

CES

C25

CE(sat)

ISOPLUS227^TM(IXGE)

E Q

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

E Q

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

175

112

400

G = Gate, E = Emitter, C = Collector

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

either emitter terminal can be

used as Main or Kelvin Emitter

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 2.4 Ω

Clamped inductive load, L = 30 µH

I_CM= 200

@ 0.8 V_CES

Features

P_C

T_C= 25°C

500

•Conforms to SOT-227B outline

•Isolation voltage 3000 V~

•Very high current, fast switching IGBT

T_J

-40 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-40 ... +150

•Low V_CE(sat)

V_ISOL

50/60 Hz

_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

- for minimum on-state conduction

losses

•MOS Gate turn-on

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque (M4)

1.5/13 Nm/lb.in.

- drive simplicity

•Low collector-to-case capacitance

(< 50 pF)

Weight

•Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

•AC motor speed control

•DC servo and robot drives

•DC choppers

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1 mA , V_GE= 0 V

I_C= 1 mA, V_CE= V_GE

600

2.5

•Uninterruptible power supplies (UPS)

5.5

•Switch-mode and resonant-mode

power supplies

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

µA

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±400

•Easy to mount with 2 screws

•Space savings

V_CE(sat)

I_C= 120A, V_GE= 15 V

2.1

•High power density

98911 (2/02)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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