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IXGC12N60CD1

更新时间： 2024-11-18 21:19:03

品牌	Logo	应用领域
IXYS		电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	543K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS220, 3 PIN

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IXGC12N60CD1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	ISOPLUS
包装说明：	ISOPLUS220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	24 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	170 ns	标称接通时间 (ton)：	40 ns
Base Number Matches：	1

IXGC12N60CD1 数据手册

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION

HiPerFAST^TMIGBT

V_CES= 600 V

IXGC 12N60C

IXGC 12N60CD1

ISOPLUS247^TM

I_C25= 15 A

V_CE(sat)= 2.7 V

t_fi(typ)= 55 ns

(Electrically Isolated Back Surface)

IXGC

IXGC - CD1

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

ISOPLUS220

E153432

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

Isolated back surface*

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

Features

SSOA

(RBSOA)

= 15 V, T = 125°C, R_G= 33 Ω

= 24

C^Gla^Emped ind^Vu^Jctive load, L = 300 µH

T_C= 25°C

@ 0^C.8^MV_CES

^zSilicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

P_C

- High power dissipation

-Isolatedmountingsurface

- 2500V electrical isolation

T_J

-40 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

^zLow collector to tab capacitance

(<35pF)

-40 ... +150

^z3rd generation HDMOS^TMprocess

V_CE(sat)

V_ISOL

Isolation Voltage

2500

Weight

^zRugged polysilicon gate cell structure

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Applications

PFC circuits

^zAC motor control

Switched-mode and resonant-mode

power supplies, UPS, no screws, or

isolation foils

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

DC choppers

Advantages

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_GE= V_GE

600

2.5

Easy assembly

5.0

^zLow capacitance to ground, low EMI

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 µA

1.5 mA

See IXGA12N60C data sheet for

IGBT characteristic curves

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= I_T, V_GE= 15 V

100 nA

V_CE(sat)

2.1

2.7

DS98943B(07/03)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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