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| 力特 - LITTELFUSE |  |
栅 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 524K |  |
| 描述 | ||
| Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1000V V(BR)CES, | ||
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.73 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 集电极-发射极最大电压： | 1000 V |
| 元件数量： | 1 | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | VCEsat-Max： | 3.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGE75N50Z | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 500V V(BR)CES |
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| IXGE75N60Z | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES |
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| IXGE75N80Z | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 800V V(BR)CES, |
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| IXGE75N90Z | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 900V V(BR)CES |
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| IXGF20N250 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS, |
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| IXGF20N250 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, I4PAC-3 |
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| IXGF20N300 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, I4PAK-3 |
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| IXGF20N300 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS, |
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| IXGF25N250 | IXYS |
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High Voltage IGBT For Capacitor Discharge Applications |
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| IXGF25N250 | LITTELFUSE |
获取价格 |
NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。 具有正温度系数Vce(sa |
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