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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.29 | 其他特性： | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 36 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 3000 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | GENERAL PURPOSE SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 755 ns | 标称接通时间 (ton)： | 221 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGH100N30B3 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 300V IGBT |
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| IXGH100N30B3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH100N30C3 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 300V IGBT |
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| IXGH100N30C3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH10N100 | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGH10N100A | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGH10N100AU1 | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode |
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| IXGH10N100U1 | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode |
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| IXGH10N170 | IXYS |
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High Voltage IGBT |
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| IXGH10N170 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用:? |
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