5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 力特 - LITTELFUSE |  |
栅 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 524K |  |
| 描述 | ||
| Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 500V V(BR)CES | ||
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 500 V | 元件数量： | 1 |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| VCEsat-Max： | 3.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGE75N60Z | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES |
|
| IXGE75N80Z | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 800V V(BR)CES, |
|
| IXGE75N90Z | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 900V V(BR)CES |
|
| IXGF20N250 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS, |
|
| IXGF20N250 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, I4PAC-3 |
|
| IXGF20N300 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, I4PAK-3 |
|
| IXGF20N300 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS, |
|
| IXGF25N250 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT For Capacitor Discharge Applications |
|
| IXGF25N250 | LITTELFUSE |
获取价格 |
NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。 具有正温度系数Vce(sa |
|
| IXGF25N300 | LITTELFUSE |
获取价格 |
NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。 具有正温度系数Vce(sa |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
