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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 632K | |
描述 | ||
功能与特色: 应用:? |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.67 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 10 A | 集电极-发射极最大电压: | 1700 V |
配置: | SINGLE | JEDEC-95代码: | TO-247AD |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 240 ns | 标称接通时间 (ton): | 107 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGH10N300 | LITTELFUSE |
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NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。 具有正温度系数Vce(sa | |
IXGH10N50U1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 10A I(C) | TO-247 | |
IXGH10N60 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT | |
IXGH10N60A | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT | |
IXGH10N60AU1 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Combi Packs | |
IXGH10N60U1 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Combi Packs | |
IXGH120N30B3 | IXYS |
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GenX3 300V IGBT | |
IXGH120N30B3 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGH120N30C3 | IXYS |
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GenX3 300V IGBT | |
IXGH120N30C3 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 |