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IXGH10N170A

更新时间： 2024-09-16 14:56:35

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXGH10N170A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.67	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	240 ns	标称接通时间 (ton)：	107 ns
Base Number Matches：	1

IXGH10N170A 数据手册

IXGH 10N170A

IXGT 10N170A

V_CES

I_C25

= 1700 V

10 A

High Voltage

IGBT

V_CE(sat)= 6.0 V

t_fi(typ)

35 ns

Preliminary Data Sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-268(IXGT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

1700

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

C (TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

TO-247AD(IXGH)

SSOA

= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 22Ω

= 20

C^Gla^Emped inductive load

@ 0^C.8^MV_CES

C (TAB)

(RBSOA)

t_SC

T_J= 125°C, V_CE= 1200 V; V_GE= 15 V, R_G= 22Ω

µs

G = Gate,

C = Collector,

TAB = Collector

E=Emitter,

P_C

T_C= 25°C

140

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

International standard packages

JEDEC TO-268 and

JEDEC TO-247 AD

M_d

Mounting torque (M3)

(TO-247)

1.13/10Nm/lb.in.

300 °C

High current handling capability

Veryhighfrequency

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Weight

TO-247

TO-268

Rugged NPT structure

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Applications

Pulser circuits

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

AC motor speed control

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

DC servo and robot drives

DC choppers

BV_CES

V_GE(th)

= 250 µA, V_GE= 0 V

1700

3.0

Uninterruptible power supplies (UPS)

I^C_C= 250 µA, V = V_GE

5.0

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T = 25°C

µA

Note 1 T_J^J= 125°C

500

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

100

6.0

High power density

V_CE(sat)

T = 25°C

T_J^J= 125°C

4.5

5.2

Suitable for surface mounting

Easy to mount with 1 screw,

(isolated mounting screw hole)

DS98991B(11/03)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH10N300	LITTELFUSE	获取价格	NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。具有正温度系数Vce(sa
IXGH10N50U1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 10A I(C) \| TO-247
IXGH10N60	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH10N60A	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH10N60AU1	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Combi Packs
IXGH10N60U1	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Combi Packs
IXGH120N30B3	IXYS	获取价格	GenX3 300V IGBT
IXGH120N30B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
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