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IXGF25N300

更新时间： 2024-11-07 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		电机驱动双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	190K
描述
NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。具有正温度系数Vce(sat)，是并联的理想选择。该系列产品是电机驱动应用的首选。借助这种IGBT，电路中原本采用多个级联低压开

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IXGF25N300 数据手册

V_CES= 3000V

I_C25= 27A

V_CE(sat)≤ 3.0V

High Voltage IGBT

For Capacitor Discharge

Applications

IXGF25N300

( Electrically Isolated Tab)

ISOPLUS i4-Pak^TM

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

3000

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

Isolated Tab

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

1 = Gate

2 = Emitter

5 = Collector

T_C= 25°C, V_GE= 20V, 1ms

140

SSOA

(RBSOA)

P_C

_GE= 20V, T_VJ= 125°C, R_G= 5Ω

I_CM= 160

V_CE≤ 0.8 • V_CES

114

Clamped Inductive Load

T_C= 25°C

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

ꢀ

Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

4000V Electrical Isolation

High Peak Current Capability

Low Saturation Voltage

T_JM

T_stg

ꢀ

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

F_C

Mounting Force

20..120/4.5..27

Nm/lb-in.

Molding Epoxies Meet UL 94 V-0

Flammability Classification

V_ISOL

Weight

50/60Hz, 1 Minute

4000

Applications

ꢀ

Capacitor Discharge

Pulser Circuits

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

ꢀ

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

3000

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1mA, V_GE= 0V

Advantages

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

5.0

50 μA

1 mA

ꢀ

High Power Density

Easy to Mount

Note 2 ,T_J= 125°C

ꢀ

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 25A, V_GE= 15V, Note 1

I_C= 75A

3.0

5.5

DS99995B(11/09)

12 3

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