Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH10N100AU1

IXGH10N100AU1

更新时间： 2024-11-05 22:41:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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6页	125K
描述
Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode

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IXGH10N100AU1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	1000 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	100 W	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1200 ns
标称接通时间 (ton)：	300 ns	VCEsat-Max：	4 V
Base Number Matches：	1

IXGH10N100AU1 数据手册

V_CES

I_C25V_CE(sat)

Low V_CE(sat)IGBT with Diode

High speed IGBT with Diode

IXGH 10 N100U1

IXGH 10 N100AU1

1000 V 20 A 3.5 V

1000 V 20 A 4.0 V

CombiPacks

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 150 Ω

Clamped inductive load, L = 300 µH

I_CM= 20

@ 0.8 V_CES

Features

P_C

T_C= 25°C

100

T_J

-55 ... +150

150

°C

International standard package

JEDEC TO-247 AD

IGBT and anti-parallel FRED in one

package

2nd generation HDMOS^TMprocess

Low V_CE(sat)

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mounting torque (M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

- for low on-state conduction losses

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Fast RecoveryEpitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low I_RM

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 4 mA, V_GE= 0 V

1000

2.5

I_C= 500 µA, V_CE= V_GE

5.5

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

400 µA

Advantages

Space savings (two devices in one

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

package)

Easy to mount with 1 screw

(isolated mounting screw hole)

Reduces assembly time and cost

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

10N100U1

10N100AU1

3.5

4.0

91753F(3/97)

12 3 4 5 6

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与IXGH10N100AU1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH10N100U1	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
IXGH10N170	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGH10N170	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGH10N170A	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGH10N170A	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGH10N300	LITTELFUSE	获取价格	NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。具有正温度系数Vce(sa
IXGH10N50U1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 10A I(C) \| TO-247
IXGH10N60	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH10N60A	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH10N60AU1	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Combi Packs

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