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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | UL RECOGNIZED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 30 A | 集电极-发射极最大电压： | 4000 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | GENERAL PURPOSE SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 724 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 201 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGF32N170 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT |
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| IXGF32N170 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用:? |
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| IXGF36N300 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, I4PAK-3 |
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| IXGF36N300 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS, |
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| IXGH100N30B3 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 300V IGBT |
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| IXGH100N30B3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH100N30C3 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 300V IGBT |
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| IXGH100N30C3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH10N100 | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGH10N100A | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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