Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH10N170

IXGH10N170

更新时间： 2024-11-06 11:14:07

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IXYS		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
5页	188K
描述
High Voltage IGBT

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IXGH10N170 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	110 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	630 ns
标称接通时间 (ton)：	300 ns	Base Number Matches：	1

IXGH10N170 数据手册

V_CES= 1700V

I_C90= 10A

V_CE(sat)≤ 4.0V

High Voltage

IGBT

IXGH10N170

IXGT10N170

TO-247 (IXGH)

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_C= 25°C to 150°C

1700

C (TAB)

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

TO-268 (IXGT)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

C (TAB)

T_C= 25°C, 1ms

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 16Ω

Clamped inductive load

I_CM= 20

G = Gate

E = Emitter

= Collector

(RBSOA)

@ 0.8 • V_CES

TAB = Collector

P_C

T_C= 25°C

110

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

^zInternational standard packages

JEDEC TO-268 and

-55 ... +150

JEDEC TO-247 AD

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

^zHigh current handling capability

^zMOS Gate turn-on

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

- drive simplicity

^zRugged NPT structure

^zMolding epoxies meet UL94V-0

flammability classification

Weight

TO-247

TO-268

Applications

^zCapacitor discharge & pulser circuits

^zAC motor speed control

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Characteristic Values

^zDC servo and robot drives

^zDC choppers

Min. Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

1700

3.0

^zUninterruptible power supplies (UPS)

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

5.0

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0V

50 μA

500 μA

T_J= 125°C

Advantages

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

^zHigh power density

^zSuitable for surface mounting

^zEasy to mount with 1 screw,

(isolated mounting screw hole)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15V, Note 1

2.7

3.4

4.0

DS98992A(10/08)

12 3 4 5

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