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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 集电极-发射极最大电压： | 1000 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 100 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 1550 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 300 ns | VCEsat-Max： | 4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGH10N100AU1 | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode |
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| IXGH10N100U1 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode |
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| IXGH10N170 | IXYS |
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High Voltage IGBT |
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| IXGH10N170 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用:? |
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| IXGH10N170A | IXYS |
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High Voltage IGBT |
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| IXGH10N170A | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用:? |
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| IXGH10N300 | LITTELFUSE |
获取价格 |
NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。 具有正温度系数Vce(sa |
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| IXGH10N50U1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 10A I(C) | TO-247 |
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| IXGH10N60 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGH10N60A | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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