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IXGC16N60B2D1

更新时间： 2024-01-19 04:38:54

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	85K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS220, 3 PIN

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IXGC16N60B2D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ISOPLUS
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	28 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	280 ns
标称接通时间 (ton)：	43 ns	Base Number Matches：	1

IXGC16N60B2D1 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

B2-Class High Speed

IXGC 16N60B2

IXGC 16N60B2D1

IGBT in ISOPLUS220^TMCase

Electrically Isolated Back Surface

V_CES

I_C25

= 600 V

= 28 A

V_CE(sat)= 2.3 V

= 80 ns

t_fi(typ)

Preliminary Data Sheet

ISOPLUS 220^TM(IXGC)

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

I_D110

I_CM

T_C= 25°C

Isolated back surface*

T_C= 110°C

G = Gate

E = Emitter

C = Collector

T_C= 110°C (IXGC16N60B2D1 diode)

T_C= 25°C, 1 ms

100

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 22 Ω

Clamped inductive load

I_CM= 32

@0.8 V_CES

Features

DCB Isolated mounting tab

UL recognized (E153432)

Meets TO-273 package Outline

High current handling capability

MOS Gate turn-on

P_C

T_C= 25°C

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

- drive simplicity

Epoxy meets UL94V-0 flammability

classification

F_C

Mounting Force

11..65/2.5..15

2500

N/lb.

V_ISOL

Isolation Voltage; 50/60Hz; t = 1minute; RMS

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Applications

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switched-mode and resonant-mode

Weight

Symbol

power supplies

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Advantages

Easy assembly

High power density

Very fast switching speeds for high

min. typ. max.

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 μA, V_CE= V_GE

2.5

5.0

frequency applications

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

16N60B2

16N60B2D1

25 μA

50 μA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 12 A_,V_GE= 15 V

Note 2

2.3

T_J=125°C

1.8

DS99173A(11/04)

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与IXGC16N60B2D1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXGC24N60C	IXYS	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS220, 3 PIN	获取价格
IXGD12N60B-3X	IXYS	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2	获取价格
IXGD15N100C-4U	IXYS	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2	获取价格
IXGD15N120B-4U	IXYS	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2	获取价格
IXGD160N30PC-66	IXYS	Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3	获取价格
IXGD200N60B-9X	IXYS	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-9	获取价格

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