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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | ISOPLUS |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.73 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 40 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGD12N60B-3X | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 |
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| IXGD15N100C-4U | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 |
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| IXGD15N120B-4U | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 |
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| IXGD160N30PC-66 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3 |
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| IXGD200N60B-9X | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-9 |
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| IXGD20N100-4U | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 |
|
| IXGD28N90B-5X | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 900V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 |
|
| IXGD2N100-1M | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 |
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| IXGD35N120B-7U | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-7 |
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| IXGD45N120-7U | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-7 |
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