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IXGB75N60BD1

更新时间： 2024-11-17 22:11:51

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IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	62K
描述
HiPerFAST IGBT with Diode

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IXGB75N60BD1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLUS264, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	360 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	600 ns
标称接通时间 (ton)：	133 ns	Base Number Matches：	1

IXGB75N60BD1 数据手册

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION

HiPerFAST^TM

IGBT with Diode

IXGB 75N60BD1

V_CES

I_C25

= 600 V

= 120 A

V_CE(sat)= 2.3 V

t_fi

= 150 ns

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

PLUS 264

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

120

G = Gate

E = Emitter

C = Collector

Tab = Collector

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

300

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 5 Ω

T_C= 25°C

I_CM= 100

(RBSOA)

@ 0.8 V_CES

P_C

360

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

• High current handling capability in

holeless TO-264 package

T_JM

T_stg

-55 ... +150

• High frequency IGBT and antparallel

FRED in one package

Weight

• New generation HDMOS^TMprocess

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• MOS Gate turn-on fordrive simplicity

• Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

with soft recovery and low I_RM

Applications

Symbol

BV_CES

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ. Max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

600

2.5

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switch-mode and resonant-mode

V_GE(th)

I_CES

I_C= 500 µA, V_CE= V_GE

5.5

power supplies

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

650 µA

T_J= 125°C

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

2.3

• Space savings (two devices on one

package

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

Note1

• Easy spring or clip mounting

98850 (8/01)

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