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IXGA7N60B PDF预览

IXGA7N60B

更新时间： 2024-11-19 14:56:43
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关电动机控制栅双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 151K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。 由于兼具

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IXGA7N60B 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.73
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

IXGA7N60B 数据手册

 浏览型号IXGA7N60B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXGA7N60B的Datasheet PDF文件第3页 
HiPerFASTTM IGBT  
IXGA 7N60B*  
IXGP 7N60B  
*Obsolete Part Number  
V
= 600 V  
= 14 A  
CES  
I
C25  
V
=
2 V  
t CE(sat)  
= 150 ns  
fi  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-220AB(IXGP)  
VCES  
VCGR  
T
T
= 25°C to 150°C  
= 25°C to 150°C; R = 1 MΩ  
600  
600  
V
V
J
J
GE  
G
C
E
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
TO-263AA(IXGA)  
IC25  
IC90  
ICM  
T
= 25°C  
14  
7
A
A
A
C
T
= 90°C  
C
T
= 25°C, 1 ms  
30  
C
G
E
C (TAB)  
SSOA  
V
= 15 V, T = 125°C, R = 22 Ω  
I = 14  
CM  
A
GE  
VJ  
G
(RBSOA)  
Clamped inductive load, L = 300 µH  
@ 0.8 V  
CES  
PC  
T
= 25°C  
54  
W
C
G = Gate,  
E = Emitter,  
C = Collector,  
TAB = Collector  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Maximumleadtemperatureforsoldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Features  
• International standard packages  
JEDEC TO-263 surface  
Md  
Mounting torque, (TO-220)  
Μ3  
0.45/4  
Nm/lb.in.  
Μ3.5 0.55/5  
mountable and JEDEC TO-220 AB  
• Medium frequency IGBT  
Weight  
TO-220  
TO-263  
4
2
g
g
• High current handling capability  
TM  
TM  
• HiPerFAST HDMOS process  
• MOS Gate turn-on  
- drive simplicity  
Applications  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(T = 25°C, unless otherwise specified)  
• Uninterruptible power supplies (UPS)  
• Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
J
min. typ. max.  
• AC motor speed control  
• DC servo and robot drives  
• DC choppers  
BVCES  
VGE(th)  
I
= 250 µA, V = 0 V  
600  
2.5  
V
V
C
GE  
I
= 250 µA, V = V  
5.5  
C
CE  
GE  
ICES  
V
V
= 0.8 V  
= 0 V  
T = 25°C  
T = 125°C  
100 µA  
500 µA  
CE  
CES  
J
Advantages  
GE  
J
• High power density  
IGES  
V
= 0 V, V = 20 V  
100 nA  
• Suitable for surface mounting  
• Very low switching losses for high  
frequency applications  
CE  
GE  
VCE(sat)  
I
= I , V = 15 V  
1.8  
2.0  
V
C
C90  
GE  
© 2002 IXYS All rights reserved  
98563A (06/02)  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGA7N60BD1 IXYS

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