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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.29 | 最大集电极电流 (IC)： | 120 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| JEDEC-95代码： | TO-263AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 124 ns | 标称接通时间 (ton)： | 104 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGB16N60R2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 16A I(C) | SIP |
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| IXGB16N60U3 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 16A I(C) | SIP |
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| IXGB200N60B3 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT |
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| IXGB200N60B3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGB25N60R2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 25A I(C) | SIP |
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| IXGB75N60BD1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode |
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| IXGC12N60C | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS220, 3 PIN |
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| IXGC12N60CD1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS220, 3 PIN |
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| IXGC16N60B2 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS220 |
|
| IXGC16N60B2D1 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS220 |
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