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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGA7N60BD1

IXGA7N60BD1 PDF预览

IXGA7N60BD1

更新时间： 2024-02-19 15:59:27

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体二极管晶体管电动机控制双极性晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	81K
描述
HiPerFAST IGBT with Diode

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技术参数
数据手册

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IXGA7N60BD1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220AB, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	14 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	450 ns
标称接通时间 (ton)：	25 ns	Base Number Matches：	1

IXGA7N60BD1 数据手册

浏览型号IXGA7N60BD1的Datasheet PDF文件第2页

Advanced Technical Information

HiPerFAST^TMIGBT

withDiode

V_CES

I_C25

V_CE(sat)

t_fi

= 600 V

= 14 A

= 2.0 V

= 150ns

IXGA 7N60BD1

IXGP 7N60BD1

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220AB(IXGP)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

600

V

V

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

V

V

G

C

E

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

14

7

A

A

A

TO-263AA(IXGA)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

56

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 18 Ω

Clamped inductive load @ 0.8 V_CES

I_CM= 14

A

G

E

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

80

W

T_J

-55 ... +150

150

°C

°C

°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

• International standard packages

JEDEC TO-263 surface

mountable and JEDEC TO-220 AB

• High current handling capability

• HiPerFAST^TMHDMOS^TMprocess

• MOS Gate turn-on

M_d

Mounting torque, (TO-220)

M3

M3.5

0.45/4 Nm/lb.in.

0.55/5 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

4

2

g

g

- drive simplicity

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

min. typ. max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

600

2.5

V

V

5.5

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 µA

750 µA

Advantages

• High power density

• Suitable for surface mounting

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

±100 nA

V_CE(sat)

1.8

2.0

V

© 2002 IXYS All rights reserved

DS98977(12/02)

12

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与IXGA7N60BD1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXGA7N60C	IXYS	HiPerFAST IGBT Lightspeed Series	获取价格
IXGA7N60CD1	IXYS	HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series	获取价格
IXGA8N100	IXYS	IXGA8N100	获取价格
IXGA9289	LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AA, TO-263AA	获取价格
IXGB16N60R2	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 16A I(C) \| SIP	获取价格
IXGB16N60U3	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 16A I(C) \| SIP	获取价格

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