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IXGA7N60BD1

更新时间： 2024-11-18 11:14:07

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IXYS		晶体二极管晶体管电动机控制双极性晶体管局域网
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2页	81K
描述
HiPerFAST IGBT with Diode

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IXGA7N60BD1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220AB, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	14 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	450 ns
标称接通时间 (ton)：	25 ns	Base Number Matches：	1

IXGA7N60BD1 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFAST^TMIGBT

withDiode

V_CES

I_C25

V_CE(sat)

t_fi

= 600 V

= 14 A

= 2.0 V

= 150ns

IXGA 7N60BD1

IXGP 7N60BD1

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220AB(IXGP)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-263AA(IXGA)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 18 Ω

Clamped inductive load @ 0.8 V_CES

I_CM= 14

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

• International standard packages

JEDEC TO-263 surface

mountable and JEDEC TO-220 AB

• High current handling capability

• HiPerFAST^TMHDMOS^TMprocess

• MOS Gate turn-on

M_d

Mounting torque, (TO-220)

M3.5

0.45/4 Nm/lb.in.

0.55/5 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

- drive simplicity

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

min. typ. max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

600

2.5

5.5

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 µA

750 µA

Advantages

• High power density

• Suitable for surface mounting

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

±100 nA

V_CE(sat)

1.8

2.0

DS98977(12/02)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXGA7N60CD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series
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