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IXGA8N100

更新时间： 2024-11-17 21:55:07

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IXGA8N100

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IXGA8N100 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
其他特性：	LOW SATURATION VOLTAGE	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	16 A	集电极-发射极最大电压：	1000 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	54 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	900 ns
标称接通时间 (ton)：	15 ns	Base Number Matches：	1

IXGA8N100 数据手册

IXGA 8N100 V_CES= 1000 V

IGBT

IXGP 8N100 I_C25

V_CE(sat)

16 A

2.7 V

Preliminary data sheet

TO-220AB (IXGP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

TO-263 (IXGA)

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 120 W

I_CM= 16

(RBSOA)

Clampedinductiveload

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

C (TAB)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-220AB and TO-263AA

• Low V_CE(sat)

M_d

Mounting torque with screw M3

Mounting torque with screw M3.5

0.45/4 Nm/lb.in.

0.55/5 Nm/lb.in.

- forminimumon-stateconduction

losses

• MOS Gate turn-on

Weight

TO-220

TO-263

- drive simplicity

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

1000

2.5

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

5.0

• Capacitordischarge

I_CES

V_CE= 0.8 V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

• Easy to mount with one screw

• Reduces assembly time and cost

• High power density

V_CE(sat)

I_C= I_CE90, V_GE= 15V

2.2

2.7

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98565B (7/00)

1 - 2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXGB16N60U3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 16A I(C) \| SIP
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IXGC16N60B2	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS220

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