Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGA50N60B4

IXGA50N60B4

更新时间： 2024-11-21 11:14:07

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IXYS		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
6页	220K
描述
High-Gain IGBTs

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IXGA50N60B4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	100 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-263AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	500 ns	标称接通时间 (ton)：	76 ns
Base Number Matches：	1

IXGA50N60B4 数据手册

Preliminary Technical Information

V_CES= 600V

I_C110= 36A

V_CE(sat)≤ 1.80V

High-Gain IGBTs

IXGA50N60B4

IXGP50N60B4

IXGH50N60B4

TO-263 AA (IXGA)

Low-Vsat PT Trench IGBT

C (Tab)

TO-220AB (IXGP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (Tab)

I_C25

I_C110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

100

TO-247 (IXGH)

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

230

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 10Ω

I_CM= 72

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE≤ V_CES

P_C

T_C= 25°C

290

C (Tab)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

S = Emitter

= Collector

Tab = Collector

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb.

Nm/lb.in.

Optimized for Low Conduction and

Switching Losses

International Standard Packages

Square RBSOA

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zEasy to Mount

^zSpace Savings

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified

Min.

600

4.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

6.5

Applications

25 μA

±100 nA

^zPower Inverters

^zUPS

^zMotor Drives

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zLamp Ballasts

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

V_CE(sat)

I_C= 36A, V_GE= 15V, Note 1

1.43

1.40

1.80

DS100319A(04/11)

12 3 4 5 6

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