Datasheet > IXGA36N60A3

IXGA36N60A3

更新时间： 2024-11-19 14:56:35

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	779K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGA36N60A3 数据手册

GenX3^TM600V

IGBT

V_CES= 600V

I_C110= 36A

V_CE(sat) 1.4V

IXGA36N60A3

IXGP36N60A3

IXGH36N60A3

Ultra Low Vsat PT IGBT for

up to 5kHz Switching

TO-263

(IXGA)

C (Tab)

TO-220

(IXGP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

C (Tab)

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

TO-247

(IXGH)

I_C25

I_C110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

I_CM

T_C = 25°C, 1ms

200

C (Tab)

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5

I_CM= 60

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE V_CES

G = Gate

= Collector

E = Emitter

Tab = Collector

P_C

T_C= 25°C

220

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

^Optimized for Low Conduction Losses

^Square RBSOA

^International Standard Packages

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

Advantages

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^High Power Density

^Low Gate Drive Requirement

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

^Power Inverters

^UPS

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250µA, V_GE= 0V

I_C= 250µA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^Motor Drives

5.5

^SMPS

^PFC Circuits

^Battery Chargers

^Welding Machines

^Lamp Ballasts

^Inrush Current Protection Circuits

25 µA

T_J= 125°C

250 µA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 30A, V_GE= 15V, Note 1

1.4

DS100006B(1/20)

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IXGA36N60A3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGA42N30C3	IXYS	获取价格	GenX3 300V IGBT
IXGA48N60A3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGA48N60A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGA48N60B3	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGA48N60B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGA48N60B3-TRL	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXGA48N60C3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGA48N60C3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGA4N100	IXYS	获取价格	ADVANCED TECHNICAL INFORMATION
IXGA50N60B4	IXYS	获取价格	High-Gain IGBTs