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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1000 V | 配置： | SINGLE |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 1220 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 45 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGA50N60B4 | IXYS |
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High-Gain IGBTs |
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| IXGA50N60C4 | IXYS |
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High-Gain IGBTs |
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| IXGA7N60B | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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| IXGA7N60B | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGA7N60BD1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode |
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| IXGA7N60C | IXYS |
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HiPerFAST IGBT Lightspeed Series |
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| IXGA7N60CD1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series |
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| IXGA8N100 | IXYS |
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IXGA8N100 |
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| IXGA9289 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AA, TO-263AA |
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| IXGB16N60R2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 16A I(C) | SIP |
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