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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.61 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 187 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 45 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGA4N100 | IXYS |
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ADVANCED TECHNICAL INFORMATION |
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| IXGA50N60B4 | IXYS |
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High-Gain IGBTs |
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| IXGA50N60C4 | IXYS |
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High-Gain IGBTs |
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| IXGA7N60B | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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| IXGA7N60B | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGA7N60BD1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode |
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| IXGA7N60C | IXYS |
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HiPerFAST IGBT Lightspeed Series |
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| IXGA7N60CD1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series |
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| IXGA8N100 | IXYS |
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IXGA8N100 |
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| IXGA9289 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AA, TO-263AA |
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