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IXGA12N60C

更新时间： 2024-09-12 22:47:59

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	98K
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HiPerFAST IGBT

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IXGA12N60C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	180 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	170 ns
标称接通时间 (ton)：	40 ns	Base Number Matches：	1

IXGA12N60C 数据手册

= 600 V

= 24 A

= 2.7 V

HiPerFAST^TMIGBT

IXGA 12N60C

IXGP 12N60C

CES

C25

t ^CE(sat)= 55 ns

fi(typ)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-263 AA (IXGA)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

↑ C (tab)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-220 AB

(IXGP)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 33 Ω

Clamped inductive load, L = 300 µH

I_CM= 24

(RBSOA)

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

100

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

E =Emitter

= Collector

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mounting torque with screw M3

Mounting torque with screw M3.5

0.45/4 Nm/lb.in.

0.55/5 Nm/lb.in.

Weight

Features

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

•Very high freqency IGBT

•New generation HDMOS^TMprocess

•International standard package

•^JH^Eig^Dh^Ep^Ce^Ta^Ok ^-c²u²r⁰re^An^Bt ^ahⁿa^dnd^Tl^Oin^-g²⁶ca³p^Aa^Ability

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

• PFC circuits

• AC motor speed control

• DC servo & robot drives

• Switch-mode and resonant-mode

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_GE= V_GE

600

2.5

5.0

• ^pH^oig^wh^erpo^sw^ue^pr^pla^ieu^sdio amplifiers

I_CES

V_CE= 0.8, V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

µA

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

• Fast switching speed

• High power density

V_CE(sat)

I_C= I_CE90, V_GE= 15

2.1

2.7

97534B (2/02)

12 3 4

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