是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | TO-263AA, 3 PIN | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.88 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 30 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 配置: | SINGLE |
最大降落时间(tf): | 190 ns | 门极发射器阈值电压最大值: | 5 V |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JEDEC-95代码: | TO-263AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 470 ns | 标称接通时间 (ton): | 43 ns |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGA16N60B2 | IXYS |
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HiPerFAST IGBTs B2-Class High Speed | |
IXGA16N60B2D1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBTs B2-Class High Speed w/ Diode | |
IXGA16N60C2 | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT | |
IXGA16N60C2_10 | IXYS |
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HiPerFAST IGBTs C2-Class High Speed | |
IXGA16N60C2D1 | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT | |
IXGA20N100 | IXYS |
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IGBT | |
IXGA20N100 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGA20N100A3 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, TO-263, | |
IXGA20N100A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGA20N120 | IXYS |
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IGBT |