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IXGA20N120A3

更新时间： 2024-09-15 11:14:07

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	234K
描述
GenX3 1200V IGBTs

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IXGA20N120A3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.36	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	40 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	180 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1530 ns	标称接通时间 (ton)：	66 ns
Base Number Matches：	1

IXGA20N120A3 数据手册

GenX3^TM1200V IGBTs

V_CES= 1200V

I_C110= 20A

V_CE(sat)≤ 2.5V

IXGA20N120A3

IXGP20N120A3

IXGH20N120A3

Ultra-Low Vsat PT IGBTs for

up to 3 kHz Switching

TO-263 AA (IXGA)

C (Tab)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB (IXGP)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

1200

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (Tab)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

TO-247 (IXGH)

120

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_J= 125°C, R_G= 10Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 40

@V_CE≤ 960

P_C

T_C= 25°C

180

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

C (Tab)

-55 ... +150

G = Gate

= Collector

E = Emitter

Tab = Collector

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-247 & TO-220)

Mounting Force (TO-263)

1.13/10

10..65 / 2.2..14.6

Nm/lb.in.

N/lb.

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^zOptimized for Low Conduction Losses

^zInternational Standard Packages

Advantages

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^zPower Inverters

^zUPS

5.0

25 μA

^zMotor Drives

^zSMPS

T_J= 125°C

±100

2.5

^zPFC Circuits

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

V_CE(sat)

I_C= 20A, V_GE= 15V, Note 1

2.3

2.5

DS100046A(11/09)

12 3 4 5 6

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IXGA20N120B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGA20N250HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel,
IXGA20N250HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel,
IXGA20N60B	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT
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