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IXGA20N250HV

更新时间： 2024-09-15 19:47:27

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力特 - LITTELFUSE		栅
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6页	198K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel,

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IXGA20N250HV 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.73	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	2500 V	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

IXGA20N250HV 数据手册

Preliminary Technical Information

High Voltage IGBT

V_CES= 2500V

I_C110= 12A

V_CE(sat)≤ 3.1V

IXGA20N250HV

For Capacitor Discharge

Applications

TO-263

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

2500

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

C (Tab)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

G = Gate

E = Emitter

= Collector

T_C= 110°C

Tab = Collector

T_C= 25°C, V_GE= 19V, 1ms

10ms

105

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 20Ω

I_CM= 60

1500

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

Features

P_C

T_C= 25°C

150

ꢀ

International Standard Package

High Voltage Package

Electrically Isolated Tab

High Peak Current Capability

Low Saturation Voltage

Molding Epoxies Meet UL 94 V-0

Flammability Classification

ꢀ

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

V_ISOL

50/60Hz, 1 Minute

4000

2.3

Weight

Advantages

ꢀ

High Power Density

Easy to Mount

ꢀ

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

2500

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

Applications

5.0

ꢀ

Capacitor Discharge

Pulser Circuits

ꢀ

25 μA

750 μA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 20A, V_GE= 15V, Note 1

3.1

DS100474B(04/13)

12 3 4 5 6

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