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IXGA24N60C4

更新时间： 2024-11-01 19:55:03

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IXYS		栅
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2页	130K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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IXGA24N60C4 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Base Number Matches：	1

IXGA24N60C4 数据手册

Advance Technical Information

High-Gain IGBTs

V_CES= 600V

I_C110= 24A

V_CE(sat)≤ 2.70V

t_fi(typ)= 68ns

IXGA24N60C4

IXGP24N60C4

IXGH24N60C4

High-Speed PT Trench IGBTs

TO-263 (IXGA)

C (Tab)

TO-220 (IXGP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (Tab)

TO-247 (IXGH)

I_C25

I_C110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

130

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 10Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 48

(RBSOA)

@ ≤ V_CES

C (Tab)

P_C

T_C= 25°C

190

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

E = Emitter

= Collector

Tab = Collector

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

^zOptimized for Low Switching Losses

^zSquare RBSOA

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb.

Nm/lb.in.

^zInternational Standard Packages

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Advantages

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified

Min.

600

4.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

Applications

6.5

^zPower Inverters

^zUPS

10 μA

T_J= 125°C

500 μA

^zMotor Drives

^zSMPS

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15V, Note 1

2.28

1.95

2.70

DS100253B(12/12)

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