Datasheet > IXGA20N120B3

IXGA20N120B3

更新时间： 2024-09-15 11:14:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	211K
描述
GenX3 1200V IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGA20N120B3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.6
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	36 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-263AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	180 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	720 ns
标称接通时间 (ton)：	61 ns	Base Number Matches：	1

IXGA20N120B3 数据手册

Preliminary Technical Information

GenX3^TM1200V IGBT

V_CES= 1200V

I_C90= 20A

V_CE(sat)≤ 3.1V

IXGA20N120B3

IXGP20N120B3

High Speed Low Vsat PT

IGBTs 3-20 kHz Switching

TO-263 (IXGA)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

C (TAB)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

1200

TO-220 (IXGP)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1ms

C (TAB)

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_J= 125°C, R_G= 15Ω

Clamped Inductive load

I_CM= 40

@V_CE≤ 1200

G = Gate

= Collector

P_C

T_C= 25°C

180

E = Emitter

TAB = Collector

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

-55 ... +150

Features

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-220)

Mounting Force (TO-263)

1.13/10

10..65 / 2.2..14.6

Nm/lb.in.

N/lb.

^zOptimized for Low Conduction and

Switching Losses

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

260

°C

^zSquare RBSOA

^zInternational Standard Packages

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zPower Inverters

^zUPS

^zMotor Drives

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zWelding Machines

^zInductive Heating

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

1200

2.5

5.0

I_CES

V_CE= V_CES,V_GE= 0V

25 μA

T_J= 125°C

±100

3.1

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

V_CE(sat)

I_C= 16A, V_GE= 15V, Note 2

2.7

2.8

DS100126(03/09)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

IXGA20N120B3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGA16N60B2	IXYS	类似代替	HiPerFAST IGBTs B2-Class High Speed
IXGA12N60B	IXYS	类似代替	HiPerFAST IGBT
IXGA20N60B	IXYS	功能相似	HiPerFASTTM IGBT

与IXGA20N120B3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGA20N250HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel,
IXGA20N250HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel,
IXGA20N60B	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT
IXGA24N120C3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBT
IXGA24N120C3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGA24N60A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 48A I(C) \| TO-236AA
IXGA24N60C	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT Lightspeed Series
IXGA24N60C4	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IXGA28N60A3	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXGA30N120B3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBTs

与IXGA20N120B3相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

4
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

4
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

83
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

75

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGA20N120B3

IXGA20N120B3 技术参数

IXGA20N120B3 数据手册

IXGA20N120B3 替代型号

与IXGA20N120B3相关器件

与IXGA20N120B3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGA20N120B3

IXGA20N120B3 技术参数

IXGA20N120B3 数据手册

IXGA20N120B3 替代型号

与IXGA20N120B3相关器件

与IXGA20N120B3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？