5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXGA16N60C2
IXGA16N60C2 PDF预览

IXGA16N60C2

更新时间： 2024-09-13 03:14:35
品牌 Logo 应用领域
IXYS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 527K
描述
HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXGA16N60C2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：TO-263, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.8
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：40 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：5.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：PURE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：190 ns
标称接通时间 (ton)：43 ns

IXGA16N60C2 数据手册

 浏览型号IXGA16N60C2的Datasheet PDF文件第2页 
Advance Technical Information  
HiPerFASTTM IGBT  
C2-Class High Speed  
IGBT  
IXGA 16N60C2  
VCES  
= 600 V  
= 40 A  
IXGP 16N60C2  
IC25  
IXGA 16N60C2D1  
VCE(sat) = 3.0 V  
IXGP 16N60C2D1  
tfi(typ)  
= 35 ns  
D1  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-263 (IXGA)  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
600  
600  
V
V
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G
C (TAB)  
C
IC25  
IC110  
ID110  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 110°C (IXG_16N60C2D1 diode)  
TC = 25°C, 1 ms  
40  
16  
11  
A
A
A
A
TO-220 (IXGP)  
100  
SSOA  
V
= 15 V, TJ = 125°C, RG = 22 Ω  
ICM = 32  
A
CGlaE mped inductive load  
@0.8 VCES  
C (TAB)  
(RBSOA)  
G
C
E
PC  
TC = 25°C  
150  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
G = Gate  
C = Collector  
E = Emitter  
TAB = Collector  
Md  
Mounting torque  
(M3.5 screw)  
0.55/5 Nm/lb.in.  
Features  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
z
Very high frequency IGBT  
High current handling capability  
MOS Gate turn-on  
z
z
Maximum tab temperature  
260  
°C  
soldering SMD devices for 10s  
- drive simplicity  
Weight  
TO-220  
TO-263  
4
2
g
g
Applications  
z
PFC circuits  
z
Uninterruptible power supplies (UPS)  
z
Switched-mode and resonant-mode  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
power supplies  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
z
AC motor speed control  
min. typ. max.  
z
DC servo and robot drives  
z
DC choppers  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250 µA, VCE = VGE  
2.5  
5.0  
V
VCE = V  
16N60C2  
25 µA  
50 µA  
VGE = 0CVES  
16N60C2D1  
Advantages  
z
High power density  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = 20 V  
100 nA  
z
Very fast switching speeds for high  
VCE(sat)  
IC = 12 A, VGE = 15 V  
Note 2  
3.0  
V
V
frequency applications  
TJ=125°C  
2.1  
© 2004 IXYS All rights reserved  
DS99142A(3/04)  
12

中文翻译

下载PDF

与IXGA16N60C2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGA16N60C2_10 IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBTs C2-Class High Speed
IXGA16N60C2D1 IXYS

获取价格

 		HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT
IXGA20N100 IXYS

获取价格

 		IGBT
IXGA20N100 LITTELFUSE

获取价格

 		IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对
IXGA20N100A3 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, TO-263,
IXGA20N100A3 LITTELFUSE

获取价格

 		IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对
IXGA20N120 IXYS

获取价格

 		IGBT
IXGA20N120 LITTELFUSE

获取价格

 		IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对
IXGA20N120A3 IXYS

获取价格

 		GenX3 1200V IGBTs
IXGA20N120B3 IXYS

获取价格

 		GenX3 1200V IGBT

与IXGA16N60C2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证