型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGA20N120 | IXYS |
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IGBT | |
IXGA20N120 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGA20N120A3 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBTs | |
IXGA20N120B3 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBT | |
IXGA20N120B3 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGA20N250HV | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, | |
IXGA20N250HV | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, | |
IXGA20N60B | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT | |
IXGA24N120C3 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBT | |
IXGA24N120C3 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 |