Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGA16N60C2D1

IXGA16N60C2D1

更新时间： 2024-09-13 03:14:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
2页	527K
描述
HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT

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IXGA16N60C2D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	40 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Pure Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	190 ns
标称接通时间 (ton)：	43 ns	Base Number Matches：	1

IXGA16N60C2D1 数据手册

Advance Technical Information

HiPerFAST^TMIGBT

C2-Class High Speed

IGBT

IXGA 16N60C2

V_CES

= 600 V

= 40 A

IXGP 16N60C2

I_C25

IXGA 16N60C2D1

V_CE(sat)= 3.0 V

IXGP 16N60C2D1

t_fi(typ)

= 35 ns

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-263 (IXGA)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

600

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

C (TAB)

I_C25

I_C110

I_D110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 110°C (IXG_16N60C2D1 diode)

T_C= 25°C, 1 ms

TO-220 (IXGP)

100

SSOA

= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 22 Ω

I_CM= 32

C^Gla^Emped inductive load

@0.8 V_CES

C (TAB)

(RBSOA)

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

C = Collector

E = Emitter

TAB = Collector

M_d

Mounting torque

(M3.5 screw)

0.55/5 Nm/lb.in.

Features

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Very high frequency IGBT

High current handling capability

MOS Gate turn-on

Maximum tab temperature

260

°C

soldering SMD devices for 10s

- drive simplicity

Weight

TO-220

TO-263

Applications

PFC circuits

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switched-mode and resonant-mode

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

power supplies

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

AC motor speed control

min. typ. max.

DC servo and robot drives

DC choppers

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

2.5

5.0

V_CE= V

16N60C2

25 µA

50 µA

V_GE= 0^CV^ES

16N60C2D1

Advantages

High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

100 nA

Very fast switching speeds for high

V_CE(sat)

I_C= 12 A_,V_GE= 15 V

Note 2

3.0

frequency applications

T_J=125°C

2.1

DS99142A(3/04)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGA20N100	IXYS	获取价格	IGBT
IXGA20N100	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGA20N100A3	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, TO-263,
IXGA20N100A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGA20N120	IXYS	获取价格	IGBT
IXGA20N120	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGA20N120A3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBTs
IXGA20N120B3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBT
IXGA20N120B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGA20N250HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel,

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