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IXGA20N120

更新时间： 2024-09-13 03:14:35

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IXYS		晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅
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IGBT

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IXGA20N120 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.59
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	40 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	700 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1250 ns
标称接通时间 (ton)：	57 ns	Base Number Matches：	1

IXGA20N120 数据手册

= 1200 V

= 40 A

= 2.5 V

IXGA 20N120

IXGP 20N120

CES

IGBT

C25

t ^CE(sat)= 380 ns

fi(typ)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB(IXGP)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

TO-263AA(IXGA)

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 47 Ω

I_CM= 40

(RBSOA)

Clamped inductive load

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• International standard packages

JEDEC TO-220AB and TO-263AA

• High current handling capability

• MOS Gate turn-on

Maximum tab temperature for soldering

260

°C

M_d

Mounting torque with screw M3

Mounting torque with screw M3.5

0.45/4 Nm/lb.in.

0.55/5 Nm/lb.in.

- drive simplicity

Weight

TO-220

TO-263

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switch-mode and resonant-mode

power supplies

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

1200

2.5

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

5.0

• Capacitor discharge

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250

µA

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

• Easy to mount with one screw

• Reduces assembly time and cost

• High power density

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

2.0

2.5

98752A (06/02)

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